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第590节(第1页)

“陆总,深越光确实需要面板技术。”

胡煜华看向坐在高背皮椅上的陆飞,“可这么换,我们是不是太吃亏了?”

陆飞笑道:“吃亏?你觉得oled、amoled专利换3dnand闪存不值得?”

“当然!”

胡煜华不假思索地点头,“nand闪存本来是东芝创造的,之所以后来被三星反超,不就是三星率先研发出1gb内存,才牢牢占据全球第一的市场份额吗?

现在我们更是从2d直接突破到3d,再加上nor闪存已经取得的优势,完全有机会把三星拉下马!”

“你说得不是没有道理。”

陆飞嘴角上扬,“但如果我告诉你,东芝和我们合作的bisc技术有缺陷呢?”

“不会吧陆总?缺陷在哪?”

胡煜华瞪大眼睛。

“我们实验得出的几项关键数据,跟东芝的完全不一样,差得还不是一点点。”

“您是说东芝又在数据上造假了?”

“这个‘又’字用的很对!”

陆飞不爽地撇撇嘴,日企仔技术资料和研究数据上造假早就是惯犯,蜜月期的时候就被坑惨啦,设备、零部件乃至原料全都有鬼。

三峡工程就差点招标霓虹造假的钢铁。

狗屁的工匠精神!

东芝根本没法做出有效的bics,本来整个工艺是交替沉积氧化物(sio)层和多晶硅(psi)层实现的,然后在这个层堆叠中形成一个通道孔,填充氧化物—氮化物—氧化物(ono)和psix。

接着沉积光刻胶,在连续的蚀刻流程后,光刻胶修整再蚀刻出个阶梯,形成互连。

最后一步,蚀刻出一个槽再填充氧化物。

然而问题不是出在第三步的光刻胶蚀刻,就是出在流片封测上,哪怕侥幸成功,粗粗一算,良品率低得简直令人发指——

才6。3%!

“陆总,东芝难道就没有一个说法吗!”

胡煜华愤愤不平道:“这个项目我们已经砸了2。2亿美刀啊!”

“能有什么说法?”

陆飞拳头攥紧,积压着火:“东芝负责这个项目的技术总工割腕住院,会计卧轨死了,西田这个王八蛋把腰一弯,说句‘红豆泥斯密马赛’就想死不认账,吗的,哪有这么便宜的事!这群小霓虹我怀疑是组团忽悠我们,背地里一直在贪污研发经费。”

“这也太无耻了吧?”

胡煜华万万没想到东芝能这么臭不要脸,一时无语道:“那我们不是白折腾了吗?”

“哈哈哈,不白折腾。”

陆飞转怒为喜,“东芝敢这么干,不就欺我逻辑无能人嘛?

可巧了,我们还真有人!

朱一明觉得先栅极行不通,能不能试一试后栅极,交替氧化物层和氮化物层,结果他们真捣鼓出一个有别于‘bics’的新工艺,叫‘tcat’,terabitcellarraytransistor。”

(ps:三星就是这个工艺)

“陆总,流片封测的结果怎么样?”

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